买卖IC网 >> 产品目录 >> BSO 612 CV G MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

BSO 612 CV G

库存数量:可订货
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET
制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N and P-Channel
汲极/源极击穿电压 60 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 3 A, - 2 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 0.12 Ohms
配置 Dual Dual Drain
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 DSO-8
封装
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市杰世特电子有限公司 18927460633 林S
北京京华特科技有限公司 010-86398446-806 张小姐/韩先生
深圳市桂鹏科技有限公司 0755-82810298 田小姐/高先生/李小姐
深圳市欧和宁电子有限公司 0755-29275935 李先生
深圳市佳斯泰科技有限公司 13612973190 廖先生
  • BSO 612 CV G 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价