BSO 612 CV G datasheet
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>> BSO 612 CV G MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BSO 612 CV G
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N and P-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
3 A, - 2 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.12 Ohms
配置
Dual Dual Drain
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSO-8
封装
相关资料
属性
链接
代理商
BSO 612 CV G
BSO033N03MS
BSO033N03MS G
BSO033N03MSG
BSO035N03
BSO038N03MSCG
供应商
公司名
电话
深圳市杰世特电子有限公司
18927460633
林S
北京京华特科技有限公司
010-86398446-806
张小姐/韩先生
深圳市桂鹏科技有限公司
0755-82810298
田小姐/高先生/李小姐
深圳市欧和宁电子有限公司
0755-29275935
李先生
深圳市佳斯泰科技有限公司
13612973190
廖先生
BSO 612 CV G 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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